创新创业园企业参展国际碳化硅年会

发布时间：2017-09-29

9月17-22日，两年一届的国际碳化硅年会(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials2017)在华盛顿举行，厦门创新创业园企业——瀚天天成电子科技(厦门)有限公司携6英寸SiC外延晶片参展，获业界人士的高度关注。

据了解，本次大会主题为“碳化硅(SiC)材料和器件从小众到主流”，大会分享了碳化硅的前沿信息，并针对碳化硅新材料和新设备所面临的挑战、碳化硅技术解决方案、碳化硅新材料的推广和应用等多方面进行了全方位的交流和讨论。来自世界各国的碳化硅半导体企业、高校、研究机构600多人参加本次大会。其中，中国参展企业还有衬底生产商北京天科合达。

大会期间，瀚天天成发表了2份报告，着重介绍了公司6英寸SiC外延晶片的新进展情况。瀚天天成技术团队通过工艺调试与优化，得到了稳定的6英寸4H-SiC外延工艺，并进行了批量性的生长，产品涵盖600V~1700V用4H-SiC电力电子器件。目前，该6英寸外延片已交付客户使用，得到了客户的一致好评。据统计的300片6英寸碳化硅外延晶片具体参数，其中平均厚度均匀性为1.34%，平均浓度均匀性为3.90%，表面致命性缺陷平均密度为0.52/cm2(2mmx2mm管芯平均良率为97.79%，各项技术指标均达到国际先进水平)。此外，结合市场发展的需要，瀚天天成团队开发了厚膜6英寸4H-SiC外延工艺，主要应用于5000V以上器件。

瀚天天成电子科技(厦门)有限公司是一家集研发、生产和销售碳化硅外延晶片于一体的中美合资高科技企业，汇集了国内外碳化硅半导体领域的顶尖技术专家。公司拥有国际新型的碳化硅外延晶片生产线和各种高端检测设备，生产的3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片质量达到国际先进水平，并已获得众多国内、欧美及日本知名企业客户。（郭文晨）