瀚天天成牵头编写完成《碳化硅外延层载流子浓度测定—汞探针电容—电压法》



近期,由厦门创新创业园孵化企业——瀚天天成电子科技(厦门)有限公司牵头编写的《碳化硅外延层载流子浓度测定—汞探针电容—电压法》(T/IAWBS 003-2017)标准发布与宣贯会在北京顺利召开。此次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟组织,来自全国宽禁带功率半导体产业链上下游的瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团第五十五所等单位的代表参加了会议。北京市经信委、北京市质监局等部门领导出席了会议,并发表重要讲话。

近年来,中国碳化硅半导体产业技术逐步成熟,从材料、器件、模块到应用终端,已经形成了一条完整的产业链。碳化硅同质外延片作为该产业链的重要一环,对碳化硅器件的制备具有关键的作用。作为衡量碳化硅半导体外延晶片品质的关键参数,碳化硅外延层载流子浓度的测定方法目前在国内外尚未形成统一的标准。此次《碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容—电压法》成功列入国家团体标准,不仅填补了国内该标准的空白,更将为规范我国碳化硅半导体材料行业、促成其健康有序的发展提供强有力的支撑作用。(黄彬乐)

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